镀金属膜层，将待镀产品传入装有金属靶材的镀膜腔室，开启泵抽真空及加热装置进行基底加热，使得本底真空达到1×10-3pa 及达到80-150℃工艺温度后，向腔室通入10-1000sccm的ya气，启动溅射电源，设置溅射功率1-15kw，镀膜时间10-300s，得到厚度为1-100nm的金属膜层，金属膜层为铜(cu)、银(ag)、铝(al)、铬(cr)等金属膜层，或镍铜(nicu)、镍铬(nicr)等合金膜层;
镀低折射率膜层，将镀完金属膜层的产品传入装有可形成低折射率膜层的靶材镀膜腔室，加热达到80-150℃的工艺温度，向腔室通入工艺气体，设置溅射功率1-15kw，镀膜时间1-300s，得到厚度为1-100nm的低折射率膜层，此低折射率膜层为氧化硅、氮化硅等膜层;
真空法
这种方法是在高真空状态下令材料气化或离子化沉积于工件表面而形成镀层的过程。其主要方法是。
（一）物理气相沉积（pvd）
在真空条件下，pvd电镀报价，将金属气化成原子或分子，或者使其离子化成离子，直接沉积到工件表面，形成涂层的过程，pvd电镀，称为物理气相沉积，其沉积粒子束来源于非化学因素，pvd电镀哪里近，如蒸发镀溅射镀、离子镀等。
（二）离子注入
高电压下将不同离子注入工件表面令其表面改性的过程，盐城pvd电镀，称为离子注入，如注硼等。
（三）化学气相沉积（cvd）
低压（有时也在常压）下，气态物质在工件表面因化学反应而生成固态沉积层的过程，称为化学气相镀，如气相沉积氧化硅、氮化硅等。
真空蒸发镀膜特点
1.优点
设备简单、操作容易
薄膜纯度高，---，厚度可控
速率快高、可用掩膜获得清晰图形
薄膜生长机理比较单纯
2.缺点
不易获得结晶结构的薄膜
薄膜与基片附着力小
工艺重复性不够好
3.真空室提供---的真空
蒸发源和蒸发加热器放置蒸发材料并对其进行加热
基板用于接收蒸发物质并在其表面形成固体蒸发薄膜
基板加热器
测温器
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