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真空电镀工艺主要是通过加热器把膜材蒸发、蒸发的膜材原子或分子迁移吸附到基体表面的成膜工艺，因此根据膜材的种类不同大体可分为金属膜的真空电镀、合金膜的真空电镀及化合物的真空电镀这三大类。

从这一原理图中不难看出，真空电镀工艺过程是由膜材在蒸发源表面上的蒸发、蒸发后的粒子（主要是原子）在气相中的迁移、到达基片表面上通过吸附作用在基片表面上凝结生成薄膜等三个过程所组成。这种工艺过程创造一个---成膜条件是十分---的。

工艺关键词:电离惰性气体轰击靶材、靶材脱落沉积冷却成膜

溅镀的原理，是镀膜机腔体抽真空，直接以薄膜材料(靶材)当做电极，pvd电镀厂家在哪，利用电极间见通电5kv~15kv产生的电浆轰击靶材，同时通入气体，气体发生离子化，粒子在电浆内移动，离子撞击靶材并使靶材表面原子脱离进而沉积在基板上，冷却浓缩成薄膜。

磁控溅镀

在直流溅镀或射频溅镀的基础上改进电极结构，亦即再把阴极内侧装置一磁铁，并使磁场方向垂直于极暗区电场方向，以便用磁场约束带电粒子的运转，这种溅射法称为磁控溅射。

由于磁场的作用力与电子的运转方向垂直，将形成电子回旋运动的向心力，此时中性物种间的撞击机率提高，始之在较低的压力下即能制作薄膜。

除了低压外，磁控溅射的另两项有优点就是高速，低温，因此也称之为高速低温溅镀法。

但是磁控溅镀也存在一些问题，如就平板磁控电极磁控电极而言，靶材中央及周边不为垂直于电厂的磁场分量越来越小，亦即与靶材表面平行的磁场分量小，使得在靶材表面的一个环形区域被溅射的异常快，而中央和边缘处溅射的少，如此下去便会出现w形侵蚀谷，使的靶材利用率降低，并且可能对薄膜的均匀性产生影响。